Magas szintű szilícium -karbid

A TMAH jelentősen növeli a zeta potenciáljátszilícium -karbidPor és csökkentse a szuszpenzió viszkozitását, ezáltal jelentősen optimalizálva a hígság reológiai tulajdonságait. PH -nál körülbelül 1 0, a zeta potenciál 11,7 mV -vel és 21 mV -vel növekedett, miután hozzáadta a 0. 3% és 0,6% TMAH hozzáadása után. A túlzott diszpergálószer növeli az ionkoncentrációt a szuszpenzióban, és az elektromos kettős réteg vastagságának csökkenéséhez vezet, ezáltal súlyosbítva a iszap reológiáját.

1.Egy módszer a szilíciummal módosított vékony fóliák előállítására a reaktív szintereltenszilícium -karbidAz (RB-SIC) anyagokat egy hall-típusú ionforrás felhasználásával segíti az elektronnyaláb-párolgás elősegítésére, és megvizsgáltuk a módosított filmek polírozási hatását különböző lerakódási sebesség mellett. A mintákon a felületi szórást és a reflexiós méréseket végeztük. A minták mikrográfiái azt mutatják, hogy a szilíciumfilmréteg szerkezete általában laza a növekvő lerakódási sebesség mellett. A szilícium-karbidminták reaktív szinterezésének finom poligálása után, a szilícium-módosított filmekkel bevonva, a felszíni szórási együttható 1,46%-ra csökken, és a reflexiós képesség közel van a jól csiszolt üvegkerámiahoz. A hőmérsékleti sokkteszt és a felületi szakítóvizsgálat azt mutatja, hogy a szilíciumfilmnek nincs repedése és leesése, stabil jellegű, és jó kombinációja van a szilícium -karbid szubsztráttal.

Népszerű tags: Magas szintű szilícium -karbid, Kína magas szintű szilícium -karbid gyártók, beszállítók, gyár