Kiváló minőségű szilícium-karbid/smirgli

Szilícium-karbid folyamatáram: Ultramagas hőmérsékletű környezet: Hevítés több mint 2500 fokra plazmán vagy íven keresztül a pillanatnyi reakció elérése érdekében. Gyors szintézis: A reakcióidő több órára lerövidül, és közvetlenül nagy tisztaságú SiC keletkezik.

Előnyök: A termék nagy tisztaságú (＞99,9%) és kiváló kristályszerkezettel rendelkezik.

Nincsenek köztes termékek, amelyek alkalmasak nanoméretű SiC előállítására. Hátrányok: Drága berendezések és rendkívül magas energiafogyasztás. A technológia nehéz és nehezen alkalmazható nagy léptékben. Alkalmazás: Csúcskategóriás területek, például félvezetők és optikai bevonatok. Egyéb eljárások: Kémiai gőzleválasztás (CVD): vékony filmhez vagy egykristályos SiC-hez használják, a költség rendkívül magas. Szol-gél módszer: alkalmas kis gyártású nano-SiC-re a laboratóriumban, és az iparosítás nehézkes.

V: A vevő kérést küld → szilícium-karbid árajánlat kérése → megrendelés visszaigazolása → 30% letétet a vevőnek → A gyártás megkezdése a letét kézhezvételekor → Szigorú ellenőrzés a gyártás során → A vevő gondoskodik az egyenleg kifizetéséről → Csomagolás → Szállítás a kereskedelmi feltételek szerint

Népszerű tags: kiváló minőségű szilícium-karbid/smirgli, Kína kiváló minőségű szilícium-karbid/smirgli gyártók, beszállítók, gyár